研究発表
公開件数:109件

No.1
会議種別 ポスター発表
タイトル 原子状水素化処理、酸素プラズマ処理による酸化物半導体のギャップ内準位の変化
会議名 第16回 薄膜材料デバイス研究会@響都ホール
開催年月日 2019/11/10
URL
概要

No.2
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル IPES/PYS及びKP法を用いたヘテロジャンクション特性の評価
会議名 第16回 薄膜材料デバイス研究会@響都ホール
開催年月日 2019/11/09
URL
概要

No.3
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル In-Sn-Zn-Oのホットワイヤ水素化とアニールによるTFT信頼性評価
会議名 第66回 応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日 2019/09/18
URL
概要

No.4
会議種別 ポスター発表
タイトル Hot-wire hydrogenation for improvement of NBIS reliability of In-Sn-Zn-O thin film transistors
会議名 30th International Conference on Defects in Semiconductors
開催年月日 2019/07/21
URL
概要 酸化物トランジスタのアニール方法依存性について。カバーガラスを付けてアニールをすると信頼性が向上する。この原因について検討した結果を報告

No.5
会議種別 ポスター発表
タイトル 原子状水素、酸素プラズマ処理による酸化物半導体のギャップ内準位の変化
会議名 第16回 Cat-CVD研究会
開催年月日 2019/07/19
URL
概要

No.6
会議種別 ポスター発表
タイトル In-Sn-Zn-O薄膜のHW水素化とポストアニールによるTFT信頼性の向上評価
会議名 第66回 応用物理学会春季学術講演会
開催年月日 2019/03/09
URL
概要

No.7
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル In situ cleaning of silicon substrate by atomic hydrogen and argon and its application for solar cells
会議名 10th International Conference on Hot Wire (Cat) and Initiated Chemical Vapor Deposition
開催年月日 2018/09/18
URL
概要 表面処理を原子状水素で行う。太陽電池特性が大幅に改善する。

No.8
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Hot-wire hydrogenation for In-Sn-Zn-O and improvement of the TFT reliability
会議名 10th International Conference on Hot Wire (Cat) and Initiated Chemical Vapor Deposition
開催年月日 2018/09/03
URL
概要 TFTのバックチャネルを水素化。信頼性が向上する。

No.9
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Influence of annealing conditions on the electrical performance and reliability of amorphous oxide TFTs
会議名 European MRS Spring Meeting
開催年月日 2018/06/18
URL
概要 アニール条件として、裏返し、カバーガラス状態でのアニールを行う。いずれも信頼性が向上する。

No.10
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Fabrication and characterization of amorphous CuAlO2/InGaZnO4 heterojunction solar cells by pulse DC sputtering method
会議名 European MRS Spring Meeting
開催年月日 2017/05/22
URL
概要 デラフォサイト型酸化物を用いて、太陽電池を作製。

No.11
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Analysis of NBITS Instability for InGaZnO4 and InSnZnO4 TFTs using Reflection Constant Photocurrent Method
会議名 26th Annual Meeting of MRS-J
開催年月日 2016/12/19
URL
概要

No.12
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Fabrication of excellent p-i/i-n interfaces by Sputtering with Supplying Atomic Hydrogen
会議名 9th International Conference on HWCVD
開催年月日 2016/09/06
URL
概要

No.13
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Analysis of NBITS Instability for Amorphous Oxide Semiconductor TFTs using Reflection Constant Photocurrent and Modulated Admitt amce Method
会議名 2016 European MRS Spring Meeting
開催年月日 2016/05/01
URL
概要

No.14
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Fabrication of excellent p-i/i-n interfaces made by Sputtering with Supplying Atomic Hydrogen
会議名 2016 MRS Spring Meeting & Exhibit
開催年月日 2016/03/28
URL
概要

No.15
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 非晶質InGaZnO4の酸素化及び水素化によるバンド吸収端の特性評価
会議名 第12回 薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2015/10/31
URL
概要

No.16
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 変調アドミタンス法による原子状水素供給スパッタ法により成膜されたp-i/i-n界面の評価
会議名 第12回 薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2015/10/31
URL
概要

No.17
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析
会議名 第12回 薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2015/10/30
URL
概要

No.18
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Evaluations of Stress Induced Instabilities of Amorphous Oxide Semiconductors using reflection CPM and ther relations with TFT instabilities
会議名 26th international Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
開催年月日 2015/09/18
URL
概要

No.19
会議種別 ポスター発表
タイトル Evaluation of Absorption-edge Properties of a- InGaZnO4 by Oxygenation or Hydrogenation using PYS/IPES
会議名 26th international Conference on Amorphous and Nanocrystalline Semiconductors
開催年月日 2015/09/15
URL
概要

No.20
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 変調アドミタンス法による原子状水素供給スパッタ法により製膜されたp-i/i-n界面の評価
会議名 第12回 Cat-CVD研究会
開催年月日 2015/07/04
URL
概要

No.21
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析
会議名 第12回 Cat-CVD研究会
開催年月日 2015/07/03
URL
概要

No.22
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 非晶質InGaZnO4の酸素化および水素化によるバンド吸収端の特性評価
会議名 第12回 Cat-CVD研究会
開催年月日 2015/07/03
URL
概要

No.23
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 原子状水素供給スパッタ法による非晶質シリコン膜の作製と 変調アドミタンス法によるp-i/i-n界面の評価
会議名 第61回 応用物理学会春季学術講演会
開催年月日 2015/03/12
URL
概要

No.24
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 反射CPM法を用いた非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析
会議名 第61回 応用物理学会春季学術講演会
開催年月日 2015/03/12
URL
概要

No.25
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 非晶質InGaZnO4とInSnZnO4のバンド吸収端酸素化及び水素化特性評価
会議名 第61回 応用物理学会春季学術講演会
開催年月日 2015/03/12
URL
概要

No.26
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 原子状水素供給スパッタ法による高品質非結晶シリコン薄膜の作製
会議名 第11回 CAT-CVD研究会
開催年月日 2014/07/11
URL
概要

No.27
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタの特性不安定性解析
会議名 第61回 応用物理学会春季学術講演会
開催年月日 2014/03/19
URL
概要

No.28
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 非晶質-InGaZnO4薄膜のギャップ内準位評価
会議名 第10回 薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2013/10/31
URL
概要

No.29
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Electronic Structure within The Mobility Gap and Photoinduced Instability of amorphous IGZO
会議名 ICANS25
開催年月日 2013/08/23
URL
概要

No.30
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 原子状水素供給スパッタ法を用いたpin接合太陽電池の作製
会議名 第10回 Cat-CVD研究会
開催年月日 2013/07/05
URL
概要

No.31
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル CPM 法によるa-InGaZnO4薄膜のギャップ内準位評価
会議名 第74回 応用物理学会秋季学術講演会
開催年月日 2013/03/19
URL
概要

No.32
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 非晶質CuAlO2を用いたp型薄膜トランジスタの作製と評価
会議名 第45回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2012/12/03
URL
概要

No.33
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 原子状水素供給スパッタリング法を用いたp型・n型シリコン薄膜の作製と太陽電池への応用に向けた検討
会議名 第45回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2012/12/03
URL
概要

No.34
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 太陽光追尾装置の製作と動作回路の低消費電力化
会議名 第45回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2012/12/03
URL
概要

No.35
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 太陽電池用シリコン切粉の洗浄法に関する検討
会議名 第45回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2012/12/03
URL
概要

No.36
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Fabrication of nano-crystalline Si films by sputtering method with atomic hydrogen
会議名 The 7th International Conference on HW-CVD
開催年月日 2012/10/10
URL
概要

No.37
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Analysis of hydrogen flow in the HW-CVD chamber by CFD
会議名 The 7th International Conference on HW-CVD
開催年月日 2012/10/10
URL
概要

No.38
会議種別 ポスター発表
タイトル Fabrication and Characterization of InGaZnO4/CuAlO2 heterjunction solar cell
会議名 5th ICOOPMA2012
開催年月日 2012/06/05
URL
概要

No.39
会議種別 ポスター発表
タイトル Fabrication of SrTiO3:Pr,Al and CaTiO3:Pr fluorescet thin films using rf sputtering for Si solar cells
会議名 5th ICOOPMA2012
開催年月日 2012/06/05
URL
概要

No.40
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(IV)
会議名 第59回 応用物理学関係連合講演会
開催年月日 2012/03/17
URL
概要

No.41
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 酸化物半導体InGaZnO4/CuAlO2接合の作製と評価(Ⅲ)
会議名 第59回 応用物理学関係連合講演会
開催年月日 2012/03/15
URL
概要

No.42
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 螢光体を用いた波長変換膜の作製と太陽電池への応用
会議名 蛍光体同学会
開催年月日 2012/01/15
URL
概要

No.43
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル シリコン微粒子を用いた低環境負荷デバイスの作製と高性能化検討
会議名 グリーンデバイステクノロジー
開催年月日 2011/12/11
URL
概要

No.44
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化
会議名 第44回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2011/12/05
URL
概要

No.45
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 酸化物半導体InGaZnO4/CuAlO2接合の作製と評価
会議名 第44回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2011/12/05
URL
概要

No.46
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 変調アドミタンス法を用いた酸化物半導体InGaZnO4の欠陥評価
会議名 第44回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2011/12/05
URL
概要

No.47
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 変調アドミッタンス法を用いたMIS界面の欠陥準位の評価
会議名 第44回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2011/12/05
URL
概要

No.48
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル SrTiO3:Pr,AlおよびCaTiO3:Pr薄膜の蛍光特性
会議名 第44回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2011/12/05
URL
概要

No.49
会議種別 ポスター発表
タイトル 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(II)
会議名 第8回薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2011/11/02
URL
概要

No.50
会議種別 ポスター発表
タイトル Rfスパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,AlおよびCaTiO3:Pr蛍光薄膜の作製と評価
会議名 第8回薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2011/11/02
URL
概要

No.51
会議種別 ポスター発表
タイトル a-CuAlO2/a-InGaZnO4接合の作製と評価
会議名 第8回薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2011/11/02
URL
概要

No.52
会議種別 ポスター発表
タイトル 酸化物半導体薄膜を用いた界面特性評価(II)
会議名 第8回薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2011/11/02
URL
概要

No.53
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 変調アドミッタンス法を用いた MIS界面の欠陥準位の評価
会議名 第72回応用物理学会関連講演会
開催年月日 2011/08/30
URL
概要

No.54
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 酸化物半導体 InGaZnO4薄膜の欠陥評価(Ⅲ)
会議名 第72回応用物理学会関連講演会
開催年月日 2011/08/30
URL
概要

No.55
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 原子状水素供給スパッタリング法を用いたシリコン薄膜の高性能化(Ⅲ)
会議名 第72回応用物理学会関連講演会
開催年月日 2011/08/30
URL
概要

No.56
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 酸化物半導体を用いたpn接合の 作製と評価 (Ⅱ)
会議名 第72回応用物理学会関連講演会
開催年月日 2011/08/30
URL
概要

No.57
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 原子状水素供給スパッタリング法を用いたシリコン薄膜の高性能化
会議名 第8回 CAT-CVD研究会
開催年月日 2011/06/17
URL
概要

No.58
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化(II)
会議名 第58回応用物理学会関連講演会
開催年月日 2011/03/30
URL
概要

No.59
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 酸化物半導体InGaZnO4-CuAlO2接合の作製と評価
会議名 第58回応用物理学会関連講演会
開催年月日 2011/03/30
URL
概要

No.60
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 変調アドミタンス法を用いた酸化物半導体InGaZnO4の欠陥評価(II)
会議名 春季 第58回応用物理学会関連講演会
開催年月日 2011/03/30
URL
概要

No.61
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 原子状水素供給スパッタ法を用いたシリコン薄膜の高性能化(Ⅱ)
~高速堆積化の検討~
~界面準位のTFT特性への影響~
会議名 第43回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2010/12/04
URL
概要

No.62
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 原子状水素供給スパッタ法を用いたシリコン薄膜の高性能化(Ⅰ)
~微結晶化の検討~
~界面準位のTFT特性への影響~
会議名 第43回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2010/12/04
URL
概要

No.63
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 変調アドミタンス法を用いたアモルファス酸化物半導体InGaZnO4薄膜の欠陥評価
~界面準位のTFT特性への影響~
会議名 第43回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2010/12/04
URL
概要

No.64
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 変調アドミタンス法を用いたアモルファス酸化物半導体InGaZnO4薄膜の欠陥評価
会議名 第43回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2010/12/04
URL
概要

No.65
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 変調アドミタンス法及びCV法によるMIS界面の欠陥密度の評価
会議名 第43回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2010/12/04
URL
概要

No.66
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 酸化物半導体を用いたpn接合の作製と評価
会議名 第43回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2010/12/04
URL
概要

No.67
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル スパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,Al薄膜の作製と蛍光評価
会議名 第43回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2010/12/04
URL
概要

No.68
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル CFD法によるホットワイヤ水素化条件の検討
会議名 第43回 日本大学生産工学部学術講演会
開催年月日 2010/12/04
URL
概要

No.69
会議種別 ポスター発表
タイトル スパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,Al薄膜の作製
会議名 第7回薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2010/11/03
URL
概要

No.70
会議種別 ポスター発表
タイトル 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化
会議名 第7回薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2010/11/03
URL
概要

No.71
会議種別 ポスター発表
タイトル a-CuAlO2/a-InGaZnO4の接合特性
会議名 第7回薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2010/11/03
URL
概要

No.72
会議種別 ポスター発表
タイトル 酸化物半導体薄膜を用いた界面特性評価
会議名 第7回薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2010/11/03
URL
概要

No.73
会議種別 ポスター発表
タイトル スパッタリング法を用いたシリコン薄膜太陽電池への応用
会議名 第3回薄膜太陽電池セミナー
開催年月日 2010/10/18
URL
概要

No.74
会議種別 ポスター発表
タイトル 酸化物半導体InGaZnO4CuAlO2接合の作製と評価
会議名 第3回薄膜太陽電池セミナー
開催年月日 2010/10/17
URL
概要

No.75
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル スパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,Al薄膜の作製
会議名 第71回応用物理学会学術講演会
開催年月日 2010/09/17
URL
概要

No.76
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 変調アドミタンス法を用いたアモルファス酸化物半導体InGaZnO4の欠陥評価
会議名 第71回応用物理学会学術講演会
開催年月日 2010/09/17
URL
概要

No.77
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 原子状水素供給スパッタリング法によるシリコン薄膜の高性能化
会議名 第71回応用物理学会学術講演会
開催年月日 2010/09/16
URL
概要

No.78
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル CFD法によるホットワイヤ水素化条件の検討(Ⅲ)
会議名 第71回応用物理学会学術講演会
開催年月日 2010/09/16
URL
概要

No.79
会議種別 ポスター発表
タイトル スパッタリング法を用いたシリコン薄膜太陽電池への応用
会議名 千葉県オープンフォーラム
開催年月日 2010/09/14
URL
概要

No.80
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル スパッタリング法を用いたSrTiO3:Pr,Al薄膜の作製
会議名 第57回 春季 応用物理学会関連連合講演会
開催年月日 2010/03/18
URL
概要

No.81
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル アモルファスInGaZnO薄膜のギャップ内準位の評価
会議名 第42回 日本大学学術講演会
開催年月日 2009/12/03
URL
概要

No.82
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル CFD法によるホットワイヤ水素化処理シミュレーション
会議名 第42回 日本大学学術講演会
開催年月日 2009/12/03
URL
概要

No.83
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル CPM法によるアモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜の裾状態評価(Ⅳ)
会議名 第70回応用物理学会学術講演会 秋季
開催年月日 2009/09/08
URL
概要

No.84
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル CFD法によるホットワイヤ水素化条件の検討(2)
会議名 第70回応用物理学会学術講演会
開催年月日 2009/09/08
URL
概要

No.85
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Characterization of subgap states in amorphous In-Ga-Zn-O by Constant Photocurrent Method
会議名 ICANS23
開催年月日 2009/08/23
URL
概要 CPM

No.86
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル CFD法によるホットワイヤ 水素化条件の検討
会議名 応用物理学会
開催年月日 2009/03/31
URL
概要

No.87
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル CPM法によるアモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜の裾状態評価(3)
会議名 応用物理学会
開催年月日 2009/03/30
URL
概要

No.88
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル CFD法によるホットワイヤ水素化条件の検討
会議名 日本大学生産工学部第41回学術講演会
開催年月日 2008/12/06
URL
概要

No.89
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 非晶質InGaZnO薄膜のギャップ内準位の評価
会議名 日本大学生産工学部第41回学術講演会
開催年月日 2008/12/06
URL
概要

No.90
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル CPM法による アモルファス酸化物半導体 In-Ga-Zn-O薄膜の裾状態評価
会議名 薄膜材料デバイス研究会
開催年月日 2008/10/31
URL
概要

No.91
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル CPM法によるアモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-O薄膜の裾状態評価(2)
会議名 第69回応用物理学会学術講演会
開催年月日 2008/09/08
URL
概要

No.92
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル CPM法によるアモルファス酸化物半導体In-Ga-Zn-Oの裾状態評価
会議名 応用物理学会
開催年月日 2008/03/30
URL
概要

No.93
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 反応炉ガス中のガスの流れの均一化に関する研究
会議名 日本大学生産工学部第40回学術講演会
開催年月日 2007/12/01
URL
概要

No.94
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル ギャップ内準位の光学的評価方法
会議名 日本大学生産工学部第40回学術講演会
開催年月日 2007/12/01
URL
概要

No.95
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 反応性CVD法によって作製した多結晶シリコンゲルマニウムの水素化特性とTFT性能向上
会議名 日本大学生産工学部第39回学術講演会
開催年月日 2006/12/02
URL
概要

No.96
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル 反応性CVD法によって作製した多結晶シリコンのTFT特性
会議名 日本大学生産工学部第39回学術講演会
開催年月日 2006/12/02
URL
概要

No.97
会議種別 その他
タイトル Direct deposition of poly-crystalline silicon germanium on glass substrate at 450oC and its thin film transistor application
会議名 2004 Joint International Meeting of 206th Meeting of The Electrochemical Society and 2004 Fall Meeting
開催年月日 2004/11
URL
概要

No.98
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Direct deposition of Poly-crystalline silicon and silicon germanium on glass substrate at 450oC and their Thin film transistor application
会議名 Proceeding of International Conference on Polycrystalline Semiconductors
開催年月日 2004/08
URL
概要

No.99
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル High Mobility Top-Gate Film Transistors Fabricated with Poly-Si1-xGex Thin Films on Glass Substrate
会議名 Proceedings of International Conference on Polycyrstalline Semiconductors
開催年月日 2004/08
URL
概要

No.100
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Deposition of High Crystalinity Poly-Si Films on Glass Substrate and Fabrication of High Mobility Bottom-Gate over 50cm2/Vs
会議名 Proceedings of International Conference on Polycyrstalline Semiconductors
開催年月日 2003
URL
概要

No.101
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Depositon of Poly-Si and SiGe Thin Films at 450oC by Reactive Thermal CVD and their TFT application
会議名 AM-LCD03
開催年月日 2003/11
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概要

No.102
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Post Hydrogenation Effect by Hot-Wire method on poly-crystalline based devices
会議名 Proceedings of International Conference on Polycyrstalline Semiconductors
開催年月日 2003/08
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概要

No.103
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Characteristics of Bottom Gate Thin Film Transistors With Silicon Rich Poly-Si1-xGex and Poly-Si Fabricated by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition
会議名 2003 Spring Meeting of Material Research Society Symposium
開催年月日 2003/04
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No.104
会議種別 その他
タイトル Low Temperature Growth of Poly-Si and SiGe Thin Films by Reactive Thermal CVD and Fabrication of High Mobility TFTs over 50 cm2/Vs
会議名 2003 Spring Meeting of Material Research Society Symposium
開催年月日 2003/04
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概要

No.105
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Effect of Ni-Seeding on low-temperature growth of Poly-Si1-xGex Thin Films by Reactive Thermal CVD
会議名 Proceedings of International Conference on Polycyrstalline Semiconductors
開催年月日 2002/10
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概要

No.106
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Electrical Properties of Poly-Si TFTs Fabricated at 450oC by Reactive Thermal Chemical Vapor Deposition
会議名 International Conference on Polycyrstalline Semiconductors
開催年月日 2002/08
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概要

No.107
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Deposition and Characterization of Polycrystalline Silicon Thin Films by Reactive Thermal CVD at 450oC
会議名 International Conference on Polycyrstalline Semiconductors
開催年月日 2002/08
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概要

No.108
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル Poly-SiGe TFTs Fabricated by Low Temperature Chemical Vapor Deposition at 450oC
会議名 Material Research Society Symposium
開催年月日 2001/12
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概要

No.109
会議種別 口頭発表(一般)
タイトル abrication and Characterization of Polycrystalline Silicon Thin Films by Reactive Thermal CVD With Si2H6 and F2
会議名 Meeting of Material Research Society Symposium
開催年月日 2001/04
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概要