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日本大学 
生産工学部 
電気電子工学科 

更新日:2020/02/29 
顔写真 教授 
清水 耕作 
シミズ コウサク 
SHIMIZU kousaku 

 
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学歴 (公開件数:1件)
大阪大学  大学院 基礎工学研究科  物理系専攻  博士後期  1999/03/21  修了  国内 

学位 (公開件数:1件)
博士(工学)  大阪大学 

研究分野 (公開件数:2件)
電子デバイス・電子機器 
無機材料・物性 

研究キーワード (公開件数:12件)
半導体 
多結晶シリコン系薄膜 
シリコン 
ゲルマニウム 
デバイス 
トランジスタ 
薄膜デバイス 
化学堆積法 
化学反応 
流体力学 
酸化物半導体 
光学評価 

研究テーマ (公開件数:2件)
流体シミュレーション法を用いたCVD中のガスの流れ解析  2006-現在 
酸化物半導体のギャップ内準位の評価  2006-現在 
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共同・受託研究実績 (公開件数:2件)
新エネルギー実用化に関する研究  2012-現在 
ナノインプリント技術によるエネルギー低消費社会の創成  2009-2013 
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著書 (公開件数:3件)
波長変換用蛍光体材料  シーエムシー出版  2012/08/31 
低温ポリシリコン薄膜トランジスタの開発 -システムオンパネルをめざして -  シーエムシー出版  2007/02/28 
薄膜トランジスタ  コロナ社  2008/11 
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論文 (公開件数:11件)
Deposition and Characterization of Polycrystalline Silicon Thin Films by Reactive Thermal CVD at 450oC  Solid State Phoenomena  2004/10 
High mobility top-gate thin film transistors fabricated with poly-Si1-xGex thin films on glass substrate  J. Non-Cryst. Sol  2004/08 
Post hydrogenation effect by hot wire method on poly-crystalline silicon based devices  J. Non-Cryst. Sol.  2004/08 
Ni-seeding effects on the properties of polycrystalline silicon germanium grown at low temperature  Appl. Phys. Lett.  2003/10 
反応性熱CVD法による多結晶Si1-xGex薄膜の低温堆積とTFTへの応用  電子情報通信学会論文誌  2003/08 
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研究発表 (公開件数:109件)
ポスター発表  原子状水素化処理、酸素プラズマ処理による酸化物半導体のギャップ内準位の変化  第16回 薄膜材料デバイス研究会@響都ホール  2019/11/10 
口頭発表(一般)  IPES/PYS及びKP法を用いたヘテロジャンクション特性の評価  第16回 薄膜材料デバイス研究会@響都ホール  2019/11/09 
口頭発表(一般)  In-Sn-Zn-Oのホットワイヤ水素化とアニールによるTFT信頼性評価  第66回 応用物理学会秋季学術講演会  2019/09/18 
ポスター発表  Hot-wire hydrogenation for improvement of NBIS reliability of In-Sn-Zn-O thin film transistors  30th International Conference on Defects in Semiconductors  2019/07/21 
ポスター発表  原子状水素、酸素プラズマ処理による酸化物半導体のギャップ内準位の変化  第16回 Cat-CVD研究会  2019/07/19 
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所属学協会 (公開件数:1件)
応用物理学会  1987/12/10-現在 
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